Samsung sviluppa un chip NAND a 400 strati per SSD ad alta capacità
Samsung continua ad affermare la sua posizione di leadership nella corsa alla tecnologia con il suo piano di produzione di chip di memoria NAND impilati a 400 strati, la cui uscita è prevista per il 2026. Questo rivoluzionario progresso aprirà la strada alle unità SSD ad altissima capacità, soddisfacendo le massicce richieste di archiviazione dati dell'intelligenza artificiale (AI).
Attualmente, Samsung ripone grandi aspettative nel suo chip NAND V10 di decima generazione, sviluppato utilizzando l'avanzata tecnologia BV NAND. Questa tecnologia consente la produzione di celle di memoria e circuiti periferici su wafer separati, che vengono poi combinati in un chip completo. Questo approccio riduce al minimo la produzione di calore e ottimizza le prestazioni. La densità di bit per unità di superficie del chip NAND V10 è 1,6 volte superiore rispetto alla generazione precedente, consentendo la produzione di SSD ad altissima capacità, potenzialmente superiori alla soglia dei 200 TB. Si tratta di una soluzione ideale per le applicazioni di intelligenza artificiale che richiedono enormi capacità di elaborazione dei dati.

Oltre al chip NAND a 400 strati, Samsung ha tracciato un'ambiziosa roadmap di sviluppo, con l'obiettivo di rilasciare il chip NAND V11 con una velocità di trasferimento dati superiore del 50% entro il 2027 e di sviluppare addirittura chip NAND con oltre 1.000 strati entro il 2030 per rafforzare la propria leadership di mercato.
Oltre alle NAND, Samsung si sta concentrando anche sullo sviluppo di nuove linee di DRAM, puntando a dimensioni compatte inferiori a 10 nm e a prestazioni superiori. Con questi sforzi incessanti, il gigante tecnologico sudcoreano sta contribuendo a plasmare il futuro della tecnologia di archiviazione, accompagnando l'umanità nell'era dell'intelligenza artificiale con un potenziale di elaborazione dei dati "illimitato".
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